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场效应管NCE2060K

信息编号:43274542 发布时间:2019-8-13 15:24:21 
  NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

  一般特征:
  VDS=20v,ID=60
  RDS(ON)<6mΩ@vg=4.5v
  超低Rdson高密度电池设计
  充分表征雪崩电压和电流
  稳定性好,均匀性好,EAS高
  优异的散热包装

  应用程序:
  负荷开关
  开关硬,频率高

  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
  漏源电压:20V
  栅源电压:±12V
  漏极电流连续:60A
  漏极电流连续(TC=100℃):42A
  脉冲漏极电流:210A
  最大功耗:60W
  降额因子:0.48W/℃
  单脉冲雪崩能量(注5):200mJ
  操作结和存储温度范围:-55-150℃
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