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IXGH24N60C4D1和IXA33IF1200HBMOSFET场效应管

信息编号:35408971 发布时间:2018/4/2 16:25:29 
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产品规格:
IXGH24N60C4D1:
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 56A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 130A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V,24A
功率 - 值 190W
开关能量 400μJ(开),300μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 64nC
25°C 时 Td(开/关)值 21ns/143ns
测试条件 360V,24A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 25ns
工作温度 -55°C 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD(IXGH)

XA33IF1200HB:
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 58A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,25A
功率 - 值 250W
开关能量 2.5mJ(开),3mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 76nC
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 600V,25A,39 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 350ns
工作温度 -40°C 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD(HB)

如有需要可向人员索取相关资料以及图片,因公司产品数量繁多,不能一一上传,如果您想了解更多产品信息,请来电和我们联系,我们将竭诚为您服务。
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