深圳免费发布分类信息网,免费发布供求信息网,今天是2019年8月24日!

IPA093N06N3G和IRF3205STRLPBF晶体管

信息编号:36573002 发布时间:2018-6-4 11:05:00 
IPA093N06N3G 和 IRF3205STRLPBF 晶体管 :
产品价格(元):10/只
最小起订量(只):2
产品数量(只):31470



IPA093N06N3G :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 34μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 33W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.3 毫欧 @ 40A,10V
工作温度 -55°C 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-31 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包




IRF3205STRLPBF :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 62A,10V
工作温度 -55°C 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB



以上为 IPA093N06N3G 和 IRF3205STRLPBF 晶体管 的详细参数,深圳市明佳达电子公司为您提供质量上乘的原装产品,价格实惠,有兴趣的商友们,欢迎来电联系和洽谈!



公司还长期供应以下型号:
L6201PSTR
SN98660AFG
MP156GJ
MP3312GC
MP2601EJ
MSP430G2152IRSA16R
IPA093N06N3G
N25Q128A11ESF40F
BCM5356C0KFBG
REF3120AIDBZR
REF3125AIDBZR
REF3133AIDBZR
ACS758LCB-100B
REF3030AIDBZR
LM5010MHX
IRF3205STRLPBF
L9352B


明佳达期待您的来电!!!
以下是“IPA093N06N3G和IRF3205STRLPBF晶体管”信息发布人联系方式:

提示:要求提前汇款或缴纳定金或保证金的均属诈骗,经网站核实的被举报信息,将在第一时间删除,构建一个安全的免费发布信息平台!

网站地图 最新信息 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  最近会员

关于我们 | 服务协议 | 广告服务 | 招聘信息 | 联系我们 | 免责声明 | 使用帮助 | 反馈建议

Copyright(©) 2009-2010 K518信息网 快我要发免费发布信息网 粤ICP备10090331号-3

粤公网安备 44510202000001号