唐山电子工业用氮气颗粒度检测

信息编号：49104524 发布时间：2023/9/27 14:55:43

唐山电子工业用氮气颗粒度检测
刻蚀：是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。硅片的刻蚀气体主要是氟基气体，包括 CF4、CF4/O2、SF6、C2F6/O2、NF3 等，但由于其各向同性，选择性较差，因此改进后的刻蚀气体通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)气体。铝和金属复合层的刻蚀通常采用氯基气体，如 CCl4、Cl2、BCl3 等。
掺杂：是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以改变半导体电学性质，形成 pn 结、电阻、欧姆接触等。常用的三价掺杂气体有 B2H6、BBr3、BF3 等，常用的五价掺杂气体有 PH3、POCl3、AsH3、SbCl5 等。

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